2015年3月，西安中为光电科技有限公司历时两年潜心研发的“紫外探测器光电器件”项目完成设计确认，顺利转入新产品投产阶段。作为光电器件的重要组成部分，该产品的推出扩展了我司在GaN材料应用领域的应用范围，填补了国产GaN基紫外探测器产品的空白。对我司GaN基光电器件多样化的发展有着非常重要的意义。

    在紫外探测领域，传统的方法是采用光电倍增管或硅探测器对紫外辐射进行探测。光电倍增管虽然响应高，但需要大的功率电源和阴极制冷，因此体积大、功耗大、价格高；硅探测器虽然也能够实现对紫外光的探测，但其对可见光有很强的吸收，当用于紫外探测时，必须附加复杂的滤光系统。相比之下，GaN基紫外探测器具有全固态，体积小，能够本征实现对波长小于365nm的紫外光的探测，不受可见光的干扰，可广泛应用于紫外告警、火焰监测、紫外辐照标定等领域。

    目前我司探测器产品的响应范围覆盖UVA波段，主要特点为暗电流低（I_D<10^-10A），响应度高（Rmax>0.21A/W--355nm），在UVA波段可有效替代光电倍增管、硅探测器等传统光电器件。已使用产品客户反映良好，获得了客户的肯定。我司可根据多种应用领域为客户订制不同规格的产品，欢迎广大厂家用户咨询了解。

1312紫外探测器规格书新.pdf      1026紫外探测器规格书新.pdf   

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